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Si7455DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
50
40
V GS = 10 V thru 6 V
5V
20
16
12
30
8
20
T A = 125 °C
10
4
25 °C
0
4V
0
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
0.030
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
8000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
7000
V GS = 6 V
0.025
0.020
V GS = 10 V
6000
5000
4000
3000
C iss
0.015
0.010
2000
1000
0
C oss
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10.5 A
8
V DS = 40 V
6
V DS = 64 V
4
2
0
2.0
1.7
1.4
1.1
0.8
0.5
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 10.5 A
V GS = 10 V, 6 V
0
20
40
60
80
100
120
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 73430
S09-0273-Rev. C, 16-Feb-09
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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